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 半電波暗室是除了地面(接地平板)之外,其余五面都裝有吸波材料的屏蔽室。作為室外開(kāi)闊試驗(yàn)場(chǎng)地的替代場(chǎng)所,半電波暗室已被國(guó)內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)可,成為應(yīng)用廣泛的EMC測(cè)試場(chǎng)所。但半電波暗室存在自身缺陷,如天線的升降,地平面電磁波反射等引起的測(cè)量值的不穩(wěn)定。半電波暗室被用于EMC~I量和電磁輻射敏感度測(cè)量。主要性能指標(biāo)用歸一化場(chǎng)地衰減(NSA)和測(cè)試面場(chǎng)均勻性(FU)來(lái)衡量.

全電波暗室是內(nèi)表面全部裝有吸波材料的屏蔽室。用來(lái)模擬自由空間的傳播環(huán)境。全電波暗室完全摒棄了平面大地干涉原理,解決了半電波暗室固有的許多缺陷。同時(shí)由于模擬自由空間,沒(méi)有反射的發(fā)生,不存在干涉模型,對(duì)水平極化、垂直極化的一致性較好;并且不存在3m和10m之爭(zhēng),只需3mUl可,為電磁兼容測(cè)試提供了一種低造價(jià)、低費(fèi)用、方便高效、靈活準(zhǔn)確的測(cè)試方法。全電波暗室主要用于微波天線系統(tǒng)的參數(shù)測(cè)量。通常用靜區(qū),反射率電平,交叉極化度,多路徑損耗,幅度均勻性和工作頻率等六項(xiàng)指標(biāo)來(lái)表示

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