開關(guān)電源EMI設(shè)計(jì)與整改策略100條！
點(diǎn)擊數(shù)：61322018-07-30 08:58:47 來(lái)源: 重慶哥爾摩科技有限公司、電波暗室、電磁兼容暗室、汽車電子暗室、EMI系統(tǒng)測(cè)試、EMS系統(tǒng)測(cè)試、EMC測(cè)試附件、EMC測(cè)試天線
導(dǎo)讀： EMC是電磁兼容，它包括EMI和EMS。EMC定義為：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對(duì)該環(huán)境中的任何設(shè)備的任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。EMC整的稱呼為電磁兼容。EMP是指電磁脈沖。
5M－－－20MHZ以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
1、對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2－3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用；
2、可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔，銅箔要閉環(huán)。
3、處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。
4、在變壓器初級(jí)繞組上用一根很細(xì)的三重絕緣線并繞一個(gè)屏蔽繞組，屏蔽繞組的一端接電源端另外一端通過(guò)一個(gè)電容接到地。
5、可將共模電感改為一邊匝數(shù)比另一邊多一匝，另其有差模的作用。
6、將開關(guān)管D極加一小散熱片且必需接高壓端的負(fù)極，變壓器的初級(jí)起始端連接到MOS管D極。
7、將次級(jí)的散熱片用一個(gè)102的Y電容接到初級(jí)的L／N線， 可降低傳導(dǎo)干擾。
8、如果加大Ｙ電容傳導(dǎo)干擾下來(lái)了，則可以改變變壓器繞法來(lái)改良，可在初次級(jí)間加多幾層膠帶；如果加大Ｙ電容傳導(dǎo)干擾未改善，就要改電路可改好不必改變壓器繞法。
9、將變壓器電感量適當(dāng)加大，可降低RCC開關(guān)電源在半載時(shí)的傳導(dǎo)干擾。
10、用變壓器次級(jí)輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，比用變壓器初級(jí)輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，傳導(dǎo)整體要好得多。
11、傳導(dǎo)整體超標(biāo)，用示波器看開關(guān)管G和D極波形都有重疊的現(xiàn)象，將光藕供電電阻從輸出濾波共模電感下穿過(guò)接輸出正極改接不從大電流下穿過(guò)后一切OK。
12、在輸入端L線和N線各接一681／250V的Y電容，Y電容另外一端接次級(jí)地。
13、將次級(jí)的輔助繞組用來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，可降低傳導(dǎo)3－15MHZ干擾。用次級(jí)的輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組，比用初級(jí)的輔助繞組來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組傳導(dǎo)要好得多。
14、在PCB板底層放一層銅片接初級(jí)大電容負(fù)極。
15、將整個(gè)電源用一塊銅片包起來(lái)， 銅片接初級(jí)大電容負(fù)極。
16、減小Y電容容量。
對(duì)于20－－30MHZ
1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；
2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
3、在變壓器外面包銅箔，變壓器最里層加屏蔽層，調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4、改變PCB LAYOUT；
5、輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
6、在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
7、在變壓器與MOSFET之間加磁珠；
8、在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
9、可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻。
10、可能是電子負(fù)載引起的，可改用電阻負(fù)載。
11、可將MOS管D 端對(duì)地接一個(gè)101的電容。
12、可將輸出整流二極管換一個(gè)積電容小一點(diǎn)的。
13、可將輸出整流二極管的RC回路去掉。
14、將輸入端加兩個(gè)Y電容對(duì)地，可降低傳導(dǎo)25MHZ－30MHZ干擾。
15、緊貼變壓器的磁芯上加一銅皮，銅皮連接到地。
16、傳導(dǎo)后段25MHZ超標(biāo)可在輸出端加共模電感，也可在開關(guān)管源極檢測(cè)電阻上套一長(zhǎng)的導(dǎo)磁力合適的磁珠。
開關(guān)電源設(shè)計(jì)后EMI的實(shí)際整改策略－－輻射部分
30－－－50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起
1．可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻；
2．RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；
3．VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；
4．或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
5．在MOSFET 的D－S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
6．在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
7．在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
8．PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??；
9．變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50－－－100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起
1．可以在整流管上串磁珠；
2．調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3．可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗，如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?
4．也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET； 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
5．增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射．
200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
開關(guān)電源EMI的對(duì)策處理小結(jié)
1、外部構(gòu)造的屏蔽處理；
2、產(chǎn)品外部的電纜線處理；
3、產(chǎn)品內(nèi)部的電纜線處理；
4、PCB布線處理；
5、開關(guān)電源的振蕩頻率的選擇；
6、IC型號(hào)的選擇；
7、磁性材料的頻率和帶寬的選擇；
8、變壓器的選型、繞法和設(shè)計(jì)；
9、散熱器的接地方式的處理。
